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SanDisk annonce le lancement en production de la mémoire flash 3D NAND 256 Gbits, 3 bits stockés par cellule (X3) à 48 couches
août 2015 par Marc Jacob
SanDisk Corporation annonce la prochaine disponibilité de sa nouvelle mémoire flash 3D NAND 256 Gbits, 3 bits par cellule (X3) à 48 couches, avec le démarrage de la production à Yokkaichi, au Japon, aux côtés de son partenaire Toshiba.
BiCS est une architecture de mémoire non volatile destinée à doter les mémoires flash de nouveaux niveaux de densité, d’extensibilité et de performance. La mémoire BiCS NAND offrira également des performances et une endurance accrues en termes d’écriture/effacement ainsi que des vitesses d’écriture et d’efficacité de hautes performances par rapport à une mémoire 2D NAND classique.
La mémoire 256 Gbits X3 BiCS développée par SanDisk est conçue pour répondre aux besoins d’un large éventail d’applications dans l’électronique grand public mais aussi les produits informatiques et mobiles des entreprises. Cette nouvelle puce mémoire sera disponible dans les produits SanDisk dès 2016.
