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Toshiba Memory et Western Digital inaugurent l’ouverture du site de fabrication « Fab 6 »

septembre 2018 par Emmanuelle Lamandé

Toshiba Memory Corporation et Western Digital Corporation inaugurent Fab 6, un nouveau site de fabrication de semi-conducteurs, ainsi que le Memory R&D Center au sein du complexe de Yokkaichi dans la préfecture de Mie au Japon.

En février 2017 Toshiba Memory a entrepris la construction de Fab 6, un site de fabrication spécialisé dans la mémoire flash 3D. Toshiba Memory et Western Digital ont installé un équipement de production de pointe pour des processus clés, notamment le dépôt et la gravure. La production en masse de mémoire flash 3D à 96 couches sur le nouveau site a commencé au début du mois de septembre 2018.

La demande de mémoire flash 3D va croissant pour les serveurs d’entreprise, les datacenters et les smartphones, une tendance qui devrait se poursuivre dans les années à venir. Des investissements supplémentaires destinés à en étendre la production seront réalisés afin de répondre aux tendances du marché.

Le Memory R&D Center, situé à deux pas du Fab 6, est entré en service en mars 2018, avec pour vocation d’explorer et de promouvoir les avancées dans le développement de mémoire flash 3D.




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