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Sandisk lance la production en masse de mémoire flash Nand 43 Nanomètres

février 2008 par Marc Jacob

SanDisk Corporation annonce le lancement d’une mémoire flash NAND multi niveau (MLC, Multi-Level Chip) produite en technologie 43 nanomètres (nm), développée conjointement avec Toshiba Corporation au Japon. Cette technologie 43 nm double la densité par puce comparée à la technologie 16 gigabits (Gb) de 56 nm, réduisant ainsi le coût des composants tout en préservant leurs performances et leur fiabilité. Au cours du deuxième trimestre 2008, SanDisk prévoit de commencer la livraison des produits exploitant la mémoire flash NAND MLC monopuce la plus dense du marché. Les premiers modèles de 16 Gb seront suivis de modèles 32 Gb au second semestre.

SanDisk et Toshiba ont présenté lors du salon ISSCC (International Solid State Circuits Conference) un document conjoint exposant les avancées techniques de la mémoire flash NAND 16 Gb 43 nm.

SanDisk a amorcé la transition vers la technologie 43 nm dans l’usine de Toshiba à Yokkaichi près de Nagoya au Japon. SanDisk et Toshiba se partagent la production du site de Yokkaichi et ont développé en commun un grand nombre de circuits et de technologies de mémoire flash NAND MLC. La nouvelle mémoire flash 43 nm sera fabriquée au départ par Fab 4, la chaîne de wafers 300 mm récemment inaugurée par SanDisk et Toshiba. Au second semestre 2008, la chaîne Fab 3 devrait également passer à la technologie 43 nm.

La génération 43 nm de mémoire flash NAND, combinée aux systèmes innovants et contrôleurs propriétaires de SanDisk, devrait en outre favoriser des marchés émergents, tels que les disques durs SSD et les mémoires NAND gérées (iNAND, par exemple), étendant les capacités de stockage des terminaux mobiles en plein essor ainsi que la prééminence de SanDisk dans les gammes de produits performants et différenciés.


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