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SanDisk et HP lancent un partenariat pour la création de solutions MDC

octobre 2015 par Marc Jacob

SanDisk Corporation et HP annoncent un partenariat de collaboration à long terme sur une nouvelle technologie SCM (Storage Class Memory). Ce partenariat s’articulera autour de la technologie et de l’expertise Memristor de HP, d’une part, et de la technologie de mémoire non volatile ReRAM de SanDisk, ainsi que son expertise en matière de fabrication et de conception, d’autre part. Il a pour objectif la création de nouvelles solutions informatiques d’entreprise orientées mémoire (Memory Driven Computing, MDC). Les deux entreprises collaboreront également à l’enrichissement de solutions pour data centers avec des SSD.

La nouvelle technologie SCM devrait offrir une rapidité et une endurance jusqu’à 1000 fois supérieures au stockage flash. Elle devrait également apporter des avantages majeurs, en termes de coût, de consommation d’énergie, de densité et de persistance, par rapport aux technologies DRAM. La technologie SCM et ses caractéristiques ont pour but de permettre aux systèmes d’employer des dizaines de téraoctets (To) de SCM par nœud serveur pour des applications telles que les bases de données « in memory », l’analytique en temps réel ou encore l’informatique transactionnelle et hautes performances (HPC).

Cette technologie est axée sur le traitement des flux massifs de données résultant de la convergence des réseaux sociaux, de la sécurité, de la mobilité, de l’analytique Big Data, du cloud et de l’Internet des objets. Grâce à cette technologie SCM, les deux partenaires visent à compléter les gammes existantes de produits SSD à base de mémoire flash, afin de proposer des solutions de stockage plus performantes aux data centers d’entreprise. Il s’agit aussi de contribuer au nouveau modèle informatique de HP, « The Machine », qui réinvente l’architecture fondamentale des ordinateurs pour franchir un nouveau palier en termes de performances et d’efficacité, tout en réduisant les coûts et en renforçant la sécurité.


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